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SENTECH PE-ALD 等離子體增強--原子層沉積

sentech PE-ALD 等離子體增強--原子層沉積
原子層沉積(ALD)是在3D結構上逐層沉積超薄薄膜的工藝方法。薄膜厚度和特性的精確控制通過在工藝循環過程中在真空腔室分步加入前置物實現。等離子增強原子層沉積(PEALD)是用等離子化的氣態原子替代水作為氧化物來增強ALD性能的先進方法。

SENTECH基于多年研發制造PECVD和ICPECVD的經驗,包括專有的PTSA技術,推出第一臺PEALD設備。新的ALD設備應用SENTECH橢偏儀,使熱輔助和等離子輔助的操作和沉積過程都能得到監控。
SENTECH使用激光橢偏儀和寬量程分光橢偏儀的前沿技術——超快在線橢偏儀來監控逐層膜生長。
第一臺PEALD設備已經在布倫瑞克科技大學(TU Braunschweig)投入使用,用于生長超高均勻性和密度的氧化膜,如Al2O3和ZnO等。
在Al2O3沉積過程中,三甲基鋁(TMA)等離子產生的氧原子反應,襯底溫度為80到200℃。PEALD薄膜厚度均勻性高、折射率變化小的特點。


下圖是ALD與PEALD的沉積結果對比
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