深圳證券交易所

股票代碼:002819

股票代碼

SZ002819

400-650-5566

SENTECH SE400adv 多角度激光橢偏儀

sentech SE400adv 多角度激光橢偏儀
激光橢偏儀SE 400advanced

  多角度激光橢偏儀 SE400advanced使用632.8nm波長HeNe激光器,對測量薄膜厚度,折射率和吸收系數有非常出色的精度。 SE400advanced能夠分析單層膜,多層膜和大塊材料(基底)
• 超高精度和穩定性,來源于高穩定激光光源、溫度穩定補償器設置、起偏器跟蹤和超低噪聲探測器
• 高精度樣品校準,使用光學自動對準鏡和顯微鏡
• 快速簡易測量,可選擇不同的應用模型和入射角度
• 多角度測量,可完全支持復雜應用和精確厚度
• 全面的預設應用,包含微電子、光電、磁存儲、生命科學等領域

規格:
• 激光波長632.8 nm
• 150 mm (z-tilt) 載物臺
• 入射角度可調,步進5º
• 自動對準鏡/顯微鏡,用于樣品校準
• Small footprint
• 以太網接口連接到PC

SE 400advanced軟件特征:
• 預先定義應用
• 多角度測量
• 廣泛的材料數據庫
• 擬合狀況的圖形反饋
• 支持多種語言
  SE400advanced被設計用來將橢偏儀的測量能力發揮到極限,高穩定相位補償器,電腦控制穩定頻率旋轉分析器 ,自動調整起偏器,The core concept of the SE400advanced with highly phase stabilized compensator, computer controlled frequency stabilized rotating analyzer and automated polarizer optimum positioning allows for the measurement of ultra thin films and surface roughness on almost any kind of absorbing or transparent substrate with a flat, mirror - like surface.

ψ, Δ精度, 90° 入射角:

δ(ψ)=0.002°, δ(Δ)=0.002°

長時穩定性2):

δ(ψ)=±0.1°, δ(Δ)=±0.1°

膜厚精度1)

0.1 Å for 100 nm SiO2 on Si

折射率精度1)

5×10-4 for 100 nm SiO2 on Si


1) 精度定義為30次測量的標準差
2) 長時穩定性定義為24小時內90°位置測量的偏差

選項
  •微細光斑選項,光斑直徑30微米
  •手動x-y方向移動載物臺,行程150 mm
  •地貌圖 選項 (x-y方向, 最大行程200 mm, 帶有真空吸附)
  •攝象頭選項,用于取代目鏡進行樣品對準
  •液體膜測量單元
  •自動對焦選項,同地貌圖選項結合
  •反射式膜厚儀FTPadvanced,光斑直徑80微米
  •雙波長激光 (405 nm 或1550 nm)
  •SIMULATION軟件 
  •針對粗糙表面硅太陽能電池的測量裝置
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